2P50G-AA3-R
MOSFET
P-Channel
SOT223
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
8.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
6.900 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT223 |
| tr - Rise Time | 16 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 59 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 6.9 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 8.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2P50G-AA3-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2P50G-AA3-R?
Los reemplazos compatibles para el 2P50G-AA3-R incluyen: 2N90G-TF3-T, 2N90L-TM3-T, 2N90G-TM3-T, 2N90L-TN3-R, 2N90G-TN3-R, 2N90L-TND-R, 2N90G-TND-R, 2P50L-AA3-R, 2P50L-TN3-R, 2P50G-TN3-R.
¿Que tipo de transistor es el 2P50G-AA3-R?
El 2P50G-AA3-R es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT223.
¿Cual es el voltaje maximo del 2P50G-AA3-R?
El 2P50G-AA3-R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.