2P601A9
MOSFET
N-Channel
SOT-89
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
0.010 A
RDSon
20.0000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-89 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.01 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 20 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2P601A9:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2P601A9?
Los reemplazos compatibles para el 2P601A9 incluyen: 2P302A, 2P308A9, 2P308B9, 2P308G9, 2P308D9, 2P7154AC, 2P7154BC, 2P7154VC, 2P802A, 2P819A, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2P601A9?
El 2P601A9 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-89.
¿Cual es el voltaje maximo del 2P601A9?
El 2P601A9 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.010 A.