2P819A
MOSFET
N-Channel
КТ-82
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
35.000 A
RDSon
0.1100 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
350.000 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | КТ-82 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 310 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 35 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 350 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.11 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2P819A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2P819A?
Los reemplazos compatibles para el 2P819A incluyen: 10N65, 2P308B9, 2P308G9, 2P308D9, 2P601A9, 2P7154AC, 2P7154BC, 2P7154VC, 2P802A, 2P821A, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2P819A?
El 2P819A es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado КТ-82.
¿Cual es el voltaje maximo del 2P819A?
El 2P819A tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 35.000 A.