2P829E9
MOSFET
N-Channel
КТ-95-1
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
60.000 A
RDSon
0.0100 Ω
Vgs Max.
25.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | КТ-95-1 |
| tr - Rise Time | 540 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 3200 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 60 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.01 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2P829E9:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2P829E9?
Los reemplazos compatibles para el 2P829E9 incluyen: 2P829B9, 2P829V, 2P829V9, 2P829G, 2P829G9, 2P829D, 2P829D9, 2P829E, 2P829J, 2P829J9, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2P829E9?
El 2P829E9 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado КТ-95-1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2P829E9?
El 2P829E9 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 60.000 A.