2P979B
MOSFET
N-Channel
КТ-56
Parametros Principales
Vds Max.
65.000 V
Id Max.
17.500 A
RDSon
0.3000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
180.000 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | КТ-56 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 185 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 17.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 180 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 125 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 65 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2P979B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2P979B?
Los reemplazos compatibles para el 2P979B incluyen: 2P922A, 2P977A, 2P978A, 2P978B, 2P978V, 2P978G, 2P978D, 2P979A, 2P979V, 2P980A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2P979B?
El 2P979B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado КТ-56.
¿Cual es el voltaje maximo del 2P979B?
El 2P979B tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 65.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 17.500 A.