2PB602AS
BJT
NPN
SC59
Parametros Principales
Vce Max.
45.000 V
Vcb Max.
50.000 V
Ic Max.
0.800 A
hFE Min
200.000
Potencia Max.
0.360 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SC59 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 60 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 20 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 50 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 45 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.36 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 200 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2PB602AS:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2PB602AS?
Los reemplazos compatibles para el 2PB602AS incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2PB601AR, 2PB601AS, 2PB601Q, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2PB602AS?
El 2PB602AS es un transistor BJT NPN en encapsulado SC59.
¿Cual es el voltaje maximo del 2PB602AS?
El 2PB602AS tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.800 A.