2PB602Q

BJT NPN SC59

Parametros Principales

Vce Max. 45.000 V
Vcb Max. 50.000 V
Ic Max. 0.800 A
hFE Min 100.000
Potencia Max. 0.360 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SC59
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 60 MHz
Collector Capacitance (Cc) 20 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.8 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 45 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.36 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 100

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2PB602Q:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2PB602Q?

Los reemplazos compatibles para el 2PB602Q incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2PB601AS, 2PB601Q, 2PB601R, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2PB602Q?

El 2PB602Q es un transistor BJT NPN en encapsulado SC59.

¿Cual es el voltaje maximo del 2PB602Q?

El 2PB602Q tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.800 A.

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