2PB709AQW

BJT PNP SOT323

Parametros Principales

Vce Max. 45.000 V
Vcb Max. 45.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 160.000
Potencia Max. 0.200 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SOT323
Polarity PNP
SMD Transistor Code N5p_N5t
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 60 MHz
Collector Capacitance (Cc) 5 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 45 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 45 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.2 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 160

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2PB709AQW:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2PB709AQW?

Los reemplazos compatibles para el 2PB709AQW incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2B3440CSM4R, 2PA1576, 2PA1774, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2PB709AQW?

El 2PB709AQW es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT323.

¿Cual es el voltaje maximo del 2PB709AQW?

El 2PB709AQW tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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