2PB709AS

BJT PNP SC59

Parametros Principales

Vce Max. 45.000 V
Vcb Max. 50.000 V
Ic Max. 0.200 A
hFE Min 200.000
Potencia Max. 0.300 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SC59
Polarity PNP
SMD Transistor Code BS
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 75 MHz
Collector Capacitance (Cc) 18 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.2 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 45 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.3 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 200

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2PB709AS:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2PB709AS?

Los reemplazos compatibles para el 2PB709AS incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2PB602A, 2PB602AQ, 2PB602AR, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2PB709AS?

El 2PB709AS es un transistor BJT PNP en encapsulado SC59.

¿Cual es el voltaje maximo del 2PB709AS?

El 2PB709AS tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.

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