2PB709S

BJT PNP SC59

Parametros Principales

Vce Max. 45.000 V
Vcb Max. 50.000 V
Ic Max. 0.200 A
hFE Min 200.000
Potencia Max. 0.300 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package SC59
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 75 MHz
Collector Capacitance (Cc) 18 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.2 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 45 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.3 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 200

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2PB709S:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2PB709S?

Los reemplazos compatibles para el 2PB709S incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2PB602AS, 2PB602Q, 2PB602R, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2PB709S?

El 2PB709S es un transistor BJT PNP en encapsulado SC59.

¿Cual es el voltaje maximo del 2PB709S?

El 2PB709S tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.

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