2S012
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
38.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 10 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 38 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S012:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2S012?
Los reemplazos compatibles para el 2S012 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2PB710Q, 2PB710R, 2PB710S, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2S012?
El 2S012 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.