2S013
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 60 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S013:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2S013?
Los reemplazos compatibles para el 2S013 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2PB710S, 2S001, 2S002, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2S013?
El 2S013 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2S013?
El 2S013 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.