2S100
BJT
PNP
TO5
Parametros Principales
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
0.050 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
0.100 W
Tj Max.
75.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.05 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 75 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S100:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2S100?
Los reemplazos compatibles para el 2S100 incluyen: 2SB688, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2S033, 2S034, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2S100?
El 2S100 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO5.