2S119
BJT
PNP
X55-2
Parametros Principales
Vcb Max.
16.000 V
Ic Max.
0.600 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
1.800 W
Tj Max.
75.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | X55-2 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.25 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.6 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 16 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 75 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1.8 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S119:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2S119?
Los reemplazos compatibles para el 2S119 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2S11, 2S110, 2S111, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2S119?
El 2S119 es un transistor BJT PNP en encapsulado X55-2.