2S123
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
32.000 V
Ic Max.
2.500 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
5.500 W
Tj Max.
75.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 32 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 75 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 5.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S123:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2S123?
Los reemplazos compatibles para el 2S123 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2S113, 2S114, 2S115, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2S123?
El 2S123 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.