2S177
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
4.000 W
Tj Max.
60.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 60 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 4 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S177:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2S177?
Los reemplazos compatibles para el 2S177 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2S17, 2S170, 2S171, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2S177?
El 2S177 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.