2S35
BJT
PNP
TO1
Parametros Principales
Vcb Max.
16.000 V
Ic Max.
0.015 A
hFE Min
75.000
Potencia Max.
0.035 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 12 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.015 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 1 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 16 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.035 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 75 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S35:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2S35?
Los reemplazos compatibles para el 2S35 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2S325, 2SB647-B, 2S326, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2S35?
El 2S35 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO1.