2S451

BJT PNP TO18

Parametros Principales

Vce Max. 6.000 V
Vcb Max. 12.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 60.000
Potencia Max. 0.150 W
Tj Max. 85.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO18
Polarity PNP
Material of Transistor Ge
Transition Frequency (ft) 250 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 1 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 12 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 6 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 85 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.15 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 60

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S451:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2S451?

Los reemplazos compatibles para el 2S451 incluyen: 2N3055, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2S38, 2S39, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2S451?

El 2S451 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO18.

¿Cual es el voltaje maximo del 2S451?

El 2S451 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 6.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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