2S50
BJT
PNP
TO1
Parametros Principales
Vcb Max.
18.000 V
Ic Max.
0.024 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
0.055 W
Tj Max.
65.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 6 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 13 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.024 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 18 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 65 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.055 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S50:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2S50?
Los reemplazos compatibles para el 2S50 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2S43, 2S44, 2S45, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2S50?
El 2S50 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO1.