2S501
BJT
NPN
TO18
Parametros Principales
Vce Max.
25.000 V
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
0.030 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO18 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 30 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.03 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S501:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2S501?
Los reemplazos compatibles para el 2S501 incluyen: 2SD1047, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2S44, 2S45, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2S501?
El 2S501 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO18.
¿Cual es el voltaje maximo del 2S501?
El 2S501 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.030 A.