2S503

BJT NPN TO18

Parametros Principales

Vce Max. 25.000 V
Vcb Max. 25.000 V
Ic Max. 0.030 A
hFE Min 180.000
Potencia Max. 0.300 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO18
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 30 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 0.03 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 25 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.3 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 180

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S503:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2S503?

Los reemplazos compatibles para el 2S503 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2S451, 2S46, 2S47, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2S503?

El 2S503 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO18.

¿Cual es el voltaje maximo del 2S503?

El 2S503 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.030 A.

Scroll al inicio