2S512
BJT
NPN
TO18
Parametros Principales
Vce Max.
20.000 V
Vcb Max.
25.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO18 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 250 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 25 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S512:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2S512?
Los reemplazos compatibles para el 2S512 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2S47, 2S48, 2S49, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2S512?
El 2S512 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO18.
¿Cual es el voltaje maximo del 2S512?
El 2S512 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.