2S96

BJT PNP TO7

Parametros Principales

Vce Max. 18.000 V
Vcb Max. 20.000 V
Ic Max. 0.010 A
hFE Min 30.000
Potencia Max. 0.035 W
Tj Max. 85.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO7
Polarity PNP
Material of Transistor Ge
Transition Frequency (ft) 18 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 0.01 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 3 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 20 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 18 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 85 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.035 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 30

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2S96:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2S96?

Los reemplazos compatibles para el 2S96 incluyen: 2SC2879, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2S745, 2S746, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2S96?

El 2S96 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO7.

¿Cual es el voltaje maximo del 2S96?

El 2S96 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 18.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.010 A.

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