2SA1007A
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
150.000 V
Vcb Max.
150.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
180.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 250 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 150 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 150 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 180 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1007A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1007A?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1007A incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1002, 2SA1003, 2SA1004, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1007A?
El 2SA1007A es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1007A?
El 2SA1007A tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 150.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.