2SA1012D
BJT
PNP
TO-252
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 60 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 170 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 20 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1012D:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1012D?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1012D incluyen: 2SC2879, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N3171H, 2N3772J, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1012D?
El 2SA1012D es un transistor BJT PNP en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1012D?
El 2SA1012D tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.