2SA1015G
BJT
PNP
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Vcb Max.
50.000 V
Ic Max.
0.150 A
hFE Min
200.000
Potencia Max.
0.400 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 80 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 7 max pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 50 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.4 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 200 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1015G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1015G?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1015G incluyen: 2SB649, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SC6026MFV-GR, 2SC6026MFV-Y, y 12 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1015G?
El 2SA1015G es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1015G?
El 2SA1015G tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.150 A.