2SA1016H
BJT
PNP
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
120.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
0.050 A
hFE Min
480.000
Potencia Max.
0.400 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 110 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 2.2 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.05 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.4 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 480 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1016H:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1016H?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1016H incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1015, 2SA1015L, 2SA1015LG, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1016H?
El 2SA1016H es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1016H?
El 2SA1016H tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.050 A.