2SA1105
BJT
PNP
TO218
Parametros Principales
Vce Max.
120.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
9.000 A
hFE Min
80.000
Potencia Max.
90.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO218 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 20 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 300 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 9 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 90 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 80 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1105:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1105?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1105 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1096, 2SA1096A, 2SA1097, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1105?
El 2SA1105 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO218.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1105?
El 2SA1105 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 9.000 A.