2SA1110
BJT
PNP
TO126
Parametros Principales
Vce Max.
120.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
65.000
Potencia Max.
5.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO126 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 250 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 65 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1110:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1110?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1110 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1105, 2SA1106, 2SA1107, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1110?
El 2SA1110 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO126.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1110?
El 2SA1110 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.500 A.