2SA1122E
BJT
PNP
TO236
Parametros Principales
Vcb Max.
55.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
300.000
Potencia Max.
0.150 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO236 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 55 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 300 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1122E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1122E?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1122E incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1120, 2SA1121, 2SA1121B, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1122E?
El 2SA1122E es un transistor BJT PNP en encapsulado TO236.