2SA1135
BJT
PNP
TO218
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
4.000 A
hFE Min
90.000
Potencia Max.
55.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO218 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 10 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 100 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 4 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 55 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 90 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1135:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1135?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1135 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1125, 2SA1126, 2SA1127, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1135?
El 2SA1135 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO218.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1135?
El 2SA1135 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 4.000 A.