2SA1141Q
BJT
PNP
TO3PN
Parametros Principales
Vce Max.
115.000 V
Vcb Max.
115.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3PN |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 90 typ MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 390 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 115 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 115 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1141Q:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1141Q?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1141Q incluyen: 2SD1047, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2KW8629, 2SA1141R, y 9 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1141Q?
El 2SA1141Q es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3PN.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1141Q?
El 2SA1141Q tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 115.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.