2SA1179M7

BJT PNP TO236

Parametros Principales

Vce Max. 50.000 V
Vcb Max. 55.000 V
Ic Max. 0.150 A
hFE Min 300.000
Potencia Max. 0.200 W
Tj Max. 175.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO236
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 180 MHz
Collector Capacitance (Cc) 7 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.15 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 55 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 50 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 175 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.2 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 300

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1179M7:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SA1179M7?

Los reemplazos compatibles para el 2SA1179M7 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1177D, 2SA1177E, 2SA1177F, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SA1179M7?

El 2SA1179M7 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO236.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1179M7?

El 2SA1179M7 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.150 A.

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