2SA1216O
BJT
PNP
MT200
Parametros Principales
Vce Max.
180.000 V
Vcb Max.
180.000 V
Ic Max.
17.000 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
200.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MT200 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 40 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 500 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 17 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 180 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 180 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 200 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1216O:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1216O?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1216O incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1015, 2SA1213, 2SA1214, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1216O?
El 2SA1216O es un transistor BJT PNP en encapsulado MT200.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1216O?
El 2SA1216O tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 180.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 17.000 A.