2SA1265O
BJT
PNP
TO3PI
Parametros Principales
Vce Max.
140.000 V
Vcb Max.
140.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
80.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3PI |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 30 typ MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 480 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 140 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 140 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 80 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1265O:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1265O?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1265O incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA1141Q, 2SA1141R, 2SA1232R, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1265O?
El 2SA1265O es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3PI.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1265O?
El 2SA1265O tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 140.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.