2SA1331O6

BJT PNP TO236

Parametros Principales

Vce Max. 50.000 V
Vcb Max. 60.000 V
Ic Max. 0.150 A
hFE Min 200.000
Potencia Max. 0.200 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO236
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 110 MHz
Collector Capacitance (Cc) 3.5 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.15 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 50 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.2 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 200

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1331O6:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SA1331O6?

Los reemplazos compatibles para el 2SA1331O6 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SA1329, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SA1331O6?

El 2SA1331O6 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO236.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1331O6?

El 2SA1331O6 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.150 A.

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