2SA1386AO
BJT
PNP
TO3P
Parametros Principales
Vce Max.
180.000 V
Vcb Max.
180.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
130.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 40 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 500 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 180 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 180 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 130 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1386AO:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1386AO?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1386AO incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SA1381E, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1386AO?
El 2SA1386AO es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1386AO?
El 2SA1386AO tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 180.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.