2SA1432O
BJT
PNP
TOSH2
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
300.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TOSH2 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 40 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 6 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 8 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 300 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1432O:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SA1432O?
Los reemplazos compatibles para el 2SA1432O incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SA1430, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SA1432O?
El 2SA1432O es un transistor BJT PNP en encapsulado TOSH2.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1432O?
El 2SA1432O tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.