2SA1612

BJT PNP TO236

Parametros Principales

Vce Max. 120.000 V
Vcb Max. 120.000 V
Ic Max. 0.050 A
hFE Min 60.000
Potencia Max. 1.000 W
Tj Max. 175.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO236
Polarity PNP
SMD Transistor Code C15_C16_C17_C18
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 90 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 0.05 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 120 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 120 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 175 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 60

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SA1612:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SA1612?

Los reemplazos compatibles para el 2SA1612 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SA200-O, 2SA200-Y, 2SA1607-3, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SA1612?

El 2SA1612 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO236.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SA1612?

El 2SA1612 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.050 A.

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