2SJ115
MOSFET
P-Channel
2-16C1H
Parametros Principales
Vds Max.
160.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | 2-16C1H |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 500 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 160 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ115:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ115?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ115 incluyen: 19MT050XF, 2SJ104, 2SJ107, 2SJ108, 2SJ109, 2SJ113, 2SJ116, 2SJ117, 2SJ118, 2SJ119, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ115?
El 2SJ115 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado 2-16C1H.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ115?
El 2SJ115 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 160.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.