2SJ116
MOSFET
P-Channel
TO3
Parametros Principales
Vds Max.
400.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.7500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| tr - Rise Time | 45 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 330 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 400 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.75 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ116:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ116?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ116 incluyen: 19MT050XF, 2SJ104, 2SJ107, 2SJ108, 2SJ109, 2SJ113, 2SJ115, 2SJ117, 2SJ118, 2SJ119, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ116?
El 2SJ116 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ116?
El 2SJ116 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 400.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.