2SJ162
MOSFET
P-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
160.000 V
Id Max.
7.000 A
RDSon
1.4000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 400 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 160 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.4 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ162:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ162?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ162 incluyen: 2SJ79, 2SK1056, 2SK1057, 2SK1058, 2SJ160, 2SJ161, 2SJ351, 2SJ352.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ162?
El 2SJ162 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ162?
El 2SJ162 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 160.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 7.000 A.