2SJ165
MOSFET
P-Channel
SST
Parametros Principales
Vds Max.
50.000 V
Id Max.
0.100 A
RDSon
50.0000 Ω
Vgs Max.
7.000 V
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SST |
| tr - Rise Time | 58 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 11 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 7 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 50 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 50 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ165:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ165?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ165 incluyen: 2SJ138, 2SJ139, 2SJ140, 2SJ141, 2SJ142, 2SJ143, 2SJ151, 2SJ152, 2SJ166, 2SJ178, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ165?
El 2SJ165 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SST.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ165?
El 2SJ165 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.100 A.