2SJ171
MOSFET
P-Channel
TO220
Parametros Principales
Vds Max.
50.000 V
Id Max.
9.700 A
RDSon
0.3500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 9.7 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 50 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.35 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ171:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ171?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ171 incluyen: 125N10T, 2SJ156.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ171?
El 2SJ171 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ171?
El 2SJ171 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 50.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 9.700 A.