2SJ180
MOSFET
P-Channel
SP8
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
1.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SP8 |
| tr - Rise Time | 380 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 130 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ180:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ180?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ180 incluyen: 2SJ142, 2SJ143, 2SJ151, 2SJ152, 2SJ165, 2SJ166, 2SJ178, 2SJ179, 2SJ184, 2SJ185, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ180?
El 2SJ180 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SP8.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ180?
El 2SJ180 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.