2SJ181
MOSFET
P-Channel
DPAK
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
0.500 A
RDSon
15.0000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DPAK |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 55 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 15 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ181:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ181?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ181 incluyen: 2SJ113, 2SJ115, 2SJ116, 2SJ117, 2SJ118, 2SJ119, 2SJ130, 2SJ175, 2SJ244, 2SJ307, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ181?
El 2SJ181 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado DPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ181?
El 2SJ181 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.500 A.