2SJ186
MOSFET
P-Channel
UPAK
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
0.500 A
RDSon
12.0000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | UPAK |
| tr - Rise Time | 6 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 32 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 12 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ186:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ186?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ186 incluyen: 2SJ181L, 2SJ181S, 2SJ216, 2SJ217, 2SJ221, 2SJ222, 2SJ247, 2SJ248, 2SJ278, 2SJ319L.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ186?
El 2SJ186 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado UPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ186?
El 2SJ186 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.500 A.