2SJ190
MOSFET
P-Channel
PCP
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
1.2000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
1.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PCP |
| tr - Rise Time | 13 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 60 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.2 Ohm |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 2SJ190?
El 2SJ190 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado PCP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ190?
El 2SJ190 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.