2SJ191
MOSFET
P-Channel
TP
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
0.4500 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TP |
| tr - Rise Time | 18 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 150 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.45 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ191:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ191?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ191 incluyen: 2SJ192, 2SJ193, 2SJ194, 2SJ195.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ191?
El 2SJ191 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ191?
El 2SJ191 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.