2SJ196
MOSFET
P-Channel
TO92
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
1.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.750 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| tr - Rise Time | 70 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 125 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.75 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ196:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ196?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ196 incluyen: 2N7000, 2SJ152, 2SJ165, 2SJ166, 2SJ178, 2SJ179, 2SJ180, 2SJ184, 2SJ185, 2SJ197, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ196?
El 2SJ196 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ196?
El 2SJ196 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.